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  • 比較可堆疊 DCDC 降壓轉(zhuǎn)換器和多相控制器的功率密度

    TI 比較了可堆疊 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器和多相控制器的功率密度，著眼于尺寸、散熱、效率和成本。 鑒于能夠有效支持大于 30 A 輸出電流的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器數(shù)量有限，設(shè)計(jì)工程師主要依靠帶有外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 的多相降壓控制器來(lái)實(shí)現(xiàn)大電流應(yīng)用。

  • 固態(tài)鋰微電池應(yīng)用的技術(shù)優(yōu)點(diǎn)總結(jié)

    固態(tài)鋰技術(shù)將提供快速充電能力，同時(shí)為無(wú)線通信提供大電流脈沖。鋰離子微型電池最多只能提供兩倍的額定電流，因此產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員傾向于使用更高容量的電池來(lái)滿足脈沖電流要求。固態(tài)鋰微電池通過(guò)提供超過(guò) 10 倍的額定容量解決了這個(gè)問(wèn)題。

  • 固態(tài)鋰微電池的工作原理介紹

    固態(tài)鋰微電池將改變小型連接設(shè)備的設(shè)計(jì)和供電方式，但需要了解它們的工作原理。 雖然電動(dòng)汽車(chē) (EV) 行業(yè)正在積極探索固態(tài)鋰電池的使用，但該技術(shù)尚未開(kāi)始向估計(jì)每年出貨的 10 億多個(gè)可穿戴設(shè)備、可聽(tīng)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)傳感器遷移。隨著專為小型連接設(shè)備設(shè)計(jì)的可充電 1 毫安時(shí) (mAh) 至 100 mAh 固態(tài)鋰微電池的出現(xiàn)，這種情況即將改變。

  • 電動(dòng)汽車(chē)充電站：技術(shù)的發(fā)展和未來(lái)市場(chǎng)趨勢(shì)

    Assodel 和 Consorzio Tecno 以及 Special-Ind 組織了一場(chǎng)活動(dòng)，分析充電站的技術(shù)和市場(chǎng)。意大利電子供應(yīng)商協(xié)會(huì) Assodel 執(zhí)行董事 Diego Giordani 與 Special-Ind 戰(zhàn)略營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān) Maurizio Maitti、Battery Industry 博客創(chuàng)始人兼總監(jiān) Marco Pinetti、Omar Imberti 等其他嘉賓主持了小組討論。 Anie E-mobility 集團(tuán)的 Scam 和協(xié)調(diào)員，以及 Tecno 的數(shù)據(jù)分析師 Michele Arena。

  • 鎂離子電池：離現(xiàn)實(shí)使用更近一步發(fā)展

    東京理科大學(xué)(TUS) 的研究人員開(kāi)發(fā)出一種新型電解質(zhì)材料，可提高室溫下鎂離子的導(dǎo)電性，為下一步開(kāi)發(fā)鎂離子 (Mg 2+ ) 電池鋪平道路。研究人員表示，作為鋰離子的低成本替代品，Mg 2+電池由于室溫下固體中鎂離子的導(dǎo)電性差而面臨巨大障礙。

  • 幾款工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)通用ACDC電源設(shè)計(jì)介紹

    在許多情況下，AC/DC 電源旨在支持工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用的高可靠性要求。最近的一個(gè)例子是 Cosel Co., Ltd. 的 AEA600F 系列 600-W 自由空氣對(duì)流冷卻電源。這些開(kāi)放式框架 AC/DC 電源可為醫(yī)療和醫(yī)療提供 300% 峰值功率長(zhǎng)達(dá) 1,000 ms工業(yè)應(yīng)用。該公司表示，這支持了電源在高峰運(yùn)行期間提供額外電力的需求，這是動(dòng)態(tài)負(fù)載(如電機(jī)啟動(dòng)時(shí))的要求。

  • PEM 燃料電池的建模和仿真

    質(zhì)子交換膜或聚合物電解質(zhì)膜 (PEM) 燃料電池是將氫和氧轉(zhuǎn)化為水和電的裝置。它是氫經(jīng)濟(jì)的一項(xiàng)非常重要的技術(shù)。它在低工作溫度下運(yùn)行，可用于能源生產(chǎn)。這種電池構(gòu)成了一個(gè)電化學(xué)系統(tǒng)，由于其反應(yīng)物而產(chǎn)生電力。雖然 PEM 燃料電池中發(fā)生的反應(yīng)非常復(fù)雜，但可以使用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)對(duì)其進(jìn)行模擬。讓我們一起探索如何以電子方式重現(xiàn)燃料電池模型。

  • MatlabSimulink 同步磁阻電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的快速控制原型，第二部分實(shí)驗(yàn)仿真

    在離線原型設(shè)計(jì)中，受控電子驅(qū)動(dòng)器(電機(jī)、轉(zhuǎn)換器和傳感器)的模型被添加到我們的方案中，并在 Simulink 中對(duì)生成的模型進(jìn)行仿真。值得指出的是： 1 st，e-drive 模型被放置在中斷驅(qū)動(dòng)控制 ISR 塊之外，因此它將根據(jù)固定或可變步長(zhǎng)求解器的設(shè)置計(jì)算為時(shí)間連續(xù)系統(tǒng)。模型; 第二，為了完全符合控制 ISR 的目標(biāo)微依賴實(shí)現(xiàn)，也必須從信號(hào)開(kāi)始模擬其驅(qū)動(dòng) I/O 信號(hào)的外圍設(shè)備(ADC、QEP、PWM...)的特性屬性。

  • MatlabSimulink 同步磁阻電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的快速控制原型，第一部分原理介紹

    原型制作步驟在滿足電氣驅(qū)動(dòng)控制中對(duì)性能、安全性和靈活性日益嚴(yán)格的要求方面發(fā)揮了重要作用。特別是，由于許多部門(mén)提出的解決方案的創(chuàng)新性和復(fù)雜性不斷增加，因此必須進(jìn)行快速測(cè)試和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，以縮短上市時(shí)間并確保適當(dāng)?shù)男阅芎托?。

  • 如何選擇合適的放大器來(lái)保護(hù)ADC芯片

    許多模擬系統(tǒng)必須以出色的保真度或低失真適應(yīng)非常大范圍的信號(hào)幅度。同時(shí)，一些信號(hào)鏈組件被過(guò)大的信號(hào)損壞。一個(gè)示例是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 輸入。對(duì)于像ADC16DV160這樣的高性能 ADC ，其中一個(gè) Vin 引腳上的絕對(duì)最大輸入電壓為 2.35-V。

  • 如何保證我們的電機(jī)在不同負(fù)載下，保持恒定速度至關(guān)重要

    幸運(yùn)的是，現(xiàn)代電子技術(shù)與大量控制理論相結(jié)合，使得控制速度變得相對(duì)容易。與轉(zhuǎn)矩和位置一樣，速度是通常建立的三個(gè)基本電機(jī)參數(shù)控制回路之一。需要精確速度控制的示例電機(jī)應(yīng)用包括冷卻風(fēng)扇、硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、激光打印機(jī)和裝配線傳送帶。在這些類型的應(yīng)用中，在不同負(fù)載下保持恒定速度至關(guān)重要。

  • 使用電源管理單元PMU實(shí)現(xiàn)更高的電源轉(zhuǎn)換效率，更低功耗

    人類最原始的沖動(dòng)是前進(jìn)，讓事情變得更好、更快、更大。我們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)看到了同樣的人類趨勢(shì)，嗯，除了更大，在電子世界中實(shí)際上更小。一旦晶體管被發(fā)明出來(lái)，早期的先驅(qū)者就會(huì)問(wèn)：“我們可以在同一個(gè)芯片上放置多個(gè)晶體管嗎?” 導(dǎo)致杰克·基爾比發(fā)明了集成電路。如今，電源管理單元 (PMU) 將數(shù)量驚人的電路集成到單個(gè) IC 中，更好、更小、更快地實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)。

  • GaN 功率器件，E-模式 HEMT技術(shù)選擇介紹和發(fā)展情況

    最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢(shì)得以保留，并且開(kāi)關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt，這可能導(dǎo)致柵極對(duì)噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因，最大柵極電壓通常限制為 6-7 V，并且可能需要負(fù)電壓來(lái)關(guān)閉器件。

  • .GaN 功率器件，D 模式 HEMT技術(shù)選擇介紹

    氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場(chǎng)，從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過(guò)較低的 Rdson 降低，而動(dòng)態(tài)損耗可以通過(guò)GaN可能的更小的裸片尺寸來(lái)降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。

  • GaN FET：音響發(fā)燒友的首選技術(shù)

    從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車(chē)應(yīng)用，氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而，高端音頻放大器現(xiàn)在也越來(lái)越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù)，因?yàn)?GaN FET 的平滑開(kāi)關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽(tīng)噪聲更少。

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