低功耗存儲器設(shè)計，動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)到近閾值計算

物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與邊緣AI芯片對毫瓦級功耗的極致追求，低功耗存儲器設(shè)計已成為突破能量效率瓶頸的核心戰(zhàn)場。從動態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)(DVFS)到近閾值計算(NTC)，存儲器技術(shù)正通過多維度創(chuàng)新，將每比特能耗壓縮至皮焦耳級。以三星eMRAM為例，其通過NTC技術(shù)將待機功耗降低至傳統(tǒng)SRAM的1/1000，同時保持10年數(shù)據(jù)保持能力，印證了低功耗存儲器在延長設(shè)備續(xù)航中的革命性價值。