VGS在線性區(qū)時功率MOSFET反向?qū)▎栴}探析

在電力電子電路中，功率MOSFET憑借開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用于逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。其工作狀態(tài)主要分為截止區(qū)、線性區(qū)(歐姆區(qū))和飽和區(qū)，不同工作區(qū)域的特性直接決定了電路的運行性能。當(dāng)柵源電壓VGS處于線性區(qū)時，功率MOSFET本應(yīng)呈現(xiàn)低阻導(dǎo)通特性以實現(xiàn)電能的高效傳輸，但實際應(yīng)用中常出現(xiàn)反向?qū)ìF(xiàn)象，這一問題會導(dǎo)致電路效率下降、器件溫升過高甚至損壞，嚴(yán)重影響系統(tǒng)可靠性。本文將從線性區(qū)工作機制、反向?qū)ǔ梢?、?fù)面影響及抑制策略四個方面，對該問題進行深入探析。