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光學光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應(yīng)
半導(dǎo)體制造中微型化的進展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運用精確的電磁場(EMF)模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場(照明)條件下，用合適的數(shù)值方法解麥克斯韋方程組。
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