隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展,制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫,從而促使模擬集成電路的工藝水平達(dá)到深亞微米級(jí)。因?yàn)橹T如溝道長(zhǎng)度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度
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