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我國(guó)第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)取得突破
以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料，具備高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及抗強(qiáng)輻射能力等優(yōu)異性能，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
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