NTT于2016年7月5日宣布,與英國(guó)國(guó)家物理實(shí)驗(yàn)室(National Physical Laboratory,NPL)共同驗(yàn)證了用硅晶體管制作的單電子轉(zhuǎn)移元件(逐一準(zhǔn)確輸送每個(gè)電子的元件),使該元件以1GHz高速工作,證實(shí)其在千兆赫茲范圍內(nèi)具有
突破性能天花板,成本超乎你想象,和ST一起揭開STM32C5的神秘面紗
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