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反向轉(zhuǎn)換器

我要報(bào)錯(cuò)

  • FET 關(guān)斷電壓緩沖的核心必要性

    反向轉(zhuǎn)換器(尤以反激式拓?fù)錇榈湫?中，功率 MOSFET 關(guān)斷瞬間面臨的電壓尖峰是制約電路可靠性的關(guān)鍵問(wèn)題。其本質(zhì)是變壓器漏感與 MOSFET 輸出電容(Coss)發(fā)生高頻諧振，疊加次級(jí)反射電壓(VOR)后形成過(guò)沖電壓，公式可表示為：\(V_{peak} = V_{DC} + L_\sigma \cdot \frac{di}{dt}\)。在 700V 母線(xiàn)電壓、200kHz 開(kāi)關(guān)頻率的工況下，僅 10nH 的寄生電感就可能產(chǎn)生 100-500V 的尖峰，遠(yuǎn)超 1200V 等級(jí)器件的安全裕量。這種尖峰不僅易導(dǎo)致 MOSFET 雪崩擊穿，還會(huì)加劇電磁干擾(EMI)和關(guān)斷損耗，因此必須通過(guò)緩沖電路實(shí)現(xiàn)電壓抑制與能量吸收。

  • 如何針對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

    本文來(lái)研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。 圖1顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè)MOSFET電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在MOSFET關(guān)閉時(shí)