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器件

我要報(bào)錯(cuò)
電子、電工儀器上能獨(dú)立起控制變換作用的單元，常有幾個(gè)元件組成，有時(shí)也指較大的元件。

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過(guò)適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

    模擬
    2009-04-16
    器件 BSP 電容 BOX

  • 愛(ài)特梅爾觸摸屏控制器榮獲《今日電子》年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

    愛(ài)特梅爾觸摸屏控制器榮獲《今日電子》年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

  • 新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

    提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來(lái)減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒(méi)有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過(guò)適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。

  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。

  • 愛(ài)特梅爾觸摸屏控制器榮獲《今日電子》年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

    愛(ài)特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 宣布其多點(diǎn)觸控 (multi-touch) 器件AT42QT5320和AT42QT5480榮獲權(quán)威電子刊物《今日電子》之2008年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。這兩款愛(ài)特梅爾真正的雙手指式觸摸器件是由該雜志經(jīng)驗(yàn)豐富的評(píng)審小

  • 艾比森LED顯示屏挺進(jìn)上海　連簽三單

    　2009年3月，艾比森上海市場(chǎng)連連告捷，連續(xù)與三家客戶簽署銷售合同，一舉拓展上海這一市場(chǎng)空白區(qū)。至此，艾比森LED顯示屏僅在國(guó)內(nèi)就已經(jīng)覆蓋到30個(gè)省、市、自治區(qū)。 由于全球金融危機(jī)的影響，顯示屏市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)日益激烈

  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達(dá)到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應(yīng)低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產(chǎn)品及家電產(chǎn)品，同樣面臨著低功耗的考驗(yàn)。以手機(jī)為例，隨著智能手機(jī)的功能越來(lái)越多，低功耗設(shè)計(jì)已經(jīng)成為一個(gè)越來(lái)越迫切的問(wèn)題。

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  • 閃速存儲(chǔ)器硬件接口和程序設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵技術(shù)

    閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。利用其信息非易失性和可以在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)特性，可將其作為具有一定靈活性的只

  • TI推出業(yè)界最低功耗 G 類耳機(jī)放大器

    日前，德州儀器 (TI) 宣布推出兩款全新 25 mW、G 類 DirectPathTM 立體聲耳機(jī)放大器，該器件可調(diào)節(jié)音頻信號(hào)的供電電壓，實(shí)現(xiàn)最小化功耗，從而可大幅延長(zhǎng)音樂(lè)手機(jī)與 MP3 播放器的音樂(lè)播放時(shí)間，使用戶受益匪淺。在 TI

  • 基于AT89C52的體外神經(jīng)剌激儀的設(shè)計(jì)

    1. 引言電刺激療法被廣泛應(yīng)用于促使神經(jīng)細(xì)胞或肌肉纖維興奮等臨床醫(yī)學(xué)與醫(yī)學(xué)研究領(lǐng)域。自1971年Galvani取得的對(duì)蛙腿刺激的實(shí)驗(yàn)成功以來(lái)，它便被廣泛應(yīng)用于臨床醫(yī)療和生理學(xué)研究。它在減輕組織痛，肌肉加固，心率調(diào)節(jié)

  • 檢測(cè)更小、更致命缺陷所面臨的障礙

    摘要：與更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)相伴而生的不利之處在于，隨著器件尺寸的縮小，那些在以前節(jié)點(diǎn)上曾經(jīng)不太重要的缺陷和顆?？赡軙?huì)變成器件殺手?！　∨c更先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)相伴而生的不利之處在于，隨著器件尺寸的縮小，那些在以前

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    1. 引言電刺激療法被廣泛應(yīng)用于促使神經(jīng)細(xì)胞或肌肉纖維興奮等臨床醫(yī)學(xué)與醫(yī)學(xué)研究領(lǐng)域。自1971年Galvani取得的對(duì)蛙腿刺激的實(shí)驗(yàn)成功以來(lái)，它便被廣泛應(yīng)用于臨床醫(yī)療和生理學(xué)研究。它在減輕組織痛，肌肉加固，心率調(diào)節(jié)