
國際整流器公司 (IR) 推出用于輸入電壓高至 75V的高性能同步 DC-DC 降壓應(yīng)用的IR3651 同步 PWM 控制 IC。
國際整流器公司 (IR) 推出用于輸入電壓高至 75V的高性能同步 DC-DC 降壓應(yīng)用的IR3651 同步 PWM 控制 IC。
作者:劉嵩 高裕弟 OLED應(yīng)用前景廣闊 有機發(fā)光顯示技術(shù)(OLED)是雙載流子注入型的顯示器,與傳統(tǒng)的顯示技術(shù)相比具有超輕、超薄、廣視角、高清晰、耐低溫、抗震性能好等一系列優(yōu)點。因此,有機發(fā)光顯示技術(shù)(OLED)在近
EMS和微結(jié)構(gòu)兩大產(chǎn)業(yè)的行業(yè)協(xié)會“微機電系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”(MIG)公布了一年一度的產(chǎn)業(yè)報告,該報告論述了MEMS產(chǎn)業(yè)內(nèi)高速增長的細分市場。以MEMS集成為焦點的《MIG產(chǎn)業(yè)報告》預(yù)測今年將是MEMS大舉進攻消費電子">消費電子市
凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出的新型高性能正交調(diào)制器 LT5571 為 850MHz 至 965MHz GSM、CDMA2000、ISM 和 RFID 調(diào)制器應(yīng)用進行了優(yōu)化。
第一章電子元件行業(yè)發(fā)展特征研究 2005年,受我國宏觀經(jīng)濟形勢的影響和外需進一步加大的拉動,我國電子元件產(chǎn)業(yè)的利潤總額以高出全行業(yè)平均水平的姿態(tài)繼續(xù)保持快速增長,這對促進我國電子信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展起到了重要
第三章電子元件行業(yè)進出口情況分析 2005年,在“科技興貿(mào)”戰(zhàn)略的推動下,我國電子元件產(chǎn)品進出口繼續(xù)保持高速增長勢頭,實現(xiàn)了三個突破: 一是全年進出口額首次突破五百億美元,達到566.23億美元,比上年
fabless半導(dǎo)體公司,宣布其Winpath接入處理器被大唐移動采用在大容量超級Node-B基站中。大唐移動是TD-SCDMA3G技術(shù)開發(fā)和設(shè)備制造的領(lǐng)導(dǎo)者,其超級Node-B基站正在參加中國TD-SCDMA的應(yīng)用試驗,為當前和將來的3G作部署
印度25.3億美元的嵌入式軟件產(chǎn)業(yè)在享受高速增長的同時,也面臨大量與技術(shù)人員短缺相關(guān)的挑戰(zhàn)。印度已把自身建立為一個低成本的嵌入式軟件開發(fā)基地。開發(fā)嵌入式軟件的超大規(guī)模集成電路(VLSI)公司以及由OEM外包的日益增
日本Asahi Kasei旗下Asahi Kasei Electronics(AKE)日前宣布,該公司一座新的鎵化砷半導(dǎo)體晶圓廠已開始運作。AKE生產(chǎn)和銷售霍耳效應(yīng)器件(Hall Effect elements)、霍爾芯片和其他磁性傳感器,這些是Asahi Kasei EMD Gr
Ramtron International 公司宣布其16Kb、5V、SPI FRAM存儲器件FM25C160已經(jīng)獲得AEC-Q100標準認證 (汽車電子設(shè)備委員會針對集成電路而設(shè)的測試標準)。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布為其 TSOP1xxxx IR 收發(fā)器系列增添四款具有出色脈沖距離編碼性能的新型模塊。
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最高性能的集成器件采樣速率轉(zhuǎn)換器—— SRC4392。
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界最高性能的集成器件采樣速率轉(zhuǎn)換器—— SRC4392。
瑞薩科技公司(Renesas)今天宣布,推出具有片上以太網(wǎng)控制器的32位SuperH系列SH7652微處理器。
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET,采用 IR標準的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù),可實現(xiàn) 95% 的效率。
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET,采用 IR標準的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù),可實現(xiàn) 95% 的效率。
國際整流器公司 (IR) 推出IRF6641TRPbF 功率MOSFET,采用 IR標準的 DirectFET 封裝技術(shù)結(jié)合 IR 最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù),可實現(xiàn) 95% 的效率。