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場效應(yīng)

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  • 簡單的MOSFET開關(guān)電路-如何打開/關(guān)閉n溝道和p溝道MOSFET

    MOSFET是一種利用場效應(yīng)的晶體管。MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，它有一個柵極。為了簡單起見，你可以把這個門想象成一個水龍頭你逆時針旋轉(zhuǎn)水龍頭水開始流出水龍頭，你順時針旋轉(zhuǎn)它水停止流出水龍頭。同樣，柵極電壓決定器件的導(dǎo)電性。根據(jù)這個柵極電壓，我們可以改變電導(dǎo)率，因此我們可以把它用作開關(guān)或放大器，就像我們用晶體管作為開關(guān)或放大器一樣。自20世紀(jì)80年代功率MOSFET問世以來，功率開關(guān)變得更快、更高效。幾乎所有現(xiàn)代開關(guān)電源都使用某種形式的功率mosfet作為開關(guān)元件。

  • 即用型600V氮化鎵場效應(yīng)晶體管，你了解嗎？

    什么是即用型600V氮化鎵場效應(yīng)晶體管?它有什么作用?德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達(dá)10kW應(yīng)用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機(jī)器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、電信和個人電子應(yīng)用中的硅場效應(yīng)晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設(shè)計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設(shè)計。