
根據(jù)中國海關總署公布的數(shù)據(jù),中國3月從韓國進口額為142.59億美元,同比增長7.3%,環(huán)比增長9.8%;中國對韓出口額為93.0229億美元,同比增長13.7%,環(huán)比增長41.8%。自去年11月起,韓國對華出口規(guī)模連續(xù)5個月保持增勢。
大陸全力扶持的國家級半導體芯片大廠紫光集團,即便在過去一段時間海外收購交易屢屢碰壁,但仍不減該公司躋身為全球領先芯片大廠的雄心壯志。在與日經(jīng)新聞(Nikkei)的專訪中,紫光集團董事長趙偉國有信心讓該公司在2020年前追近全球前兩大行動芯片供應商高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科(MediaTek);并將目標設在10年內躋身全球前五大存儲器芯片制造商之列。
圍繞東芝半導體計劃出售的存儲器業(yè)務,美國投資基金科爾伯格·克拉維斯(Kohlberg Kravis Roberts,簡稱:KKR)和日本官民合資基金產(chǎn)業(yè)革新機構將攜手參與招標手續(xù)。由于《反壟斷法》等的制約較少且擁有豐富的資金實力,圍繞東芝潛力業(yè)務的招投標預計以這兩家公司為核心推進?,F(xiàn)有投標企業(yè)也在摸索合作,日美基金聯(lián)盟的凝聚力正在提高。二次招標預計進行到5月中旬,各公司的意圖仍處在相互交錯的狀態(tài)。
夏普(Sharp)決定與鴻海一起參與東芝存儲器(Toshiba Memory)的股權標售案,這是因為日本政府擔心鴻海與大陸官方關系太深,因此鴻海邀請?zhí)O果(Apple)與SoftBank等廠參與合作,現(xiàn)在加上日本的夏普,希望化解日方疑慮。
全球存儲器龍頭大廠針對3D NAND Flash開始全力強化其戰(zhàn)力,包括韓系龍頭的三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、日系東芝(Toshiba)、美系美光(Micron)、英特爾(Intel)等,3D NAND可望在2017年下半放量生產(chǎn),熟悉后段封測業(yè)者表示,估計2017年第3季NAND Flash供需緊繃市況可望稍微緩解,價格漲勢回穩(wěn),而進入3D NAND時代后,存儲器封測業(yè)者中,又以力成最為受惠。
紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)發(fā)布公告表示,擬以發(fā)行股份的方式收購長江存儲科技控股有限責任公司(下稱“長江存儲”)全部或部分股權。資料
為了保證程序能夠連續(xù)地執(zhí)行下去,CPU必須具有某些手段來確定一條指令的地址。程序計數(shù)器PC正是起到了這種作用,所以通常又稱其為指令地址計數(shù)器。
存儲產(chǎn)品的價格上漲已經(jīng)快一年時間,這節(jié)奏有點類似同期的樓市,不過,不同之處在于,后者有調控干預,而前者則是完全市場行為。來自Gartner的一份報告稱,就他們掌握的資料來分析,看大是存儲器的降價只會發(fā)生在2019年。
根據(jù)中國媒體的報導,有消息人士指出,紫光集團旗下的長江存儲技術公司(YMTC)目前正在規(guī)劃開發(fā)自己的 DRAM 存儲器制造技術,而且可能直接進入當今世界最先進的 20/18 納米的制程中。
根據(jù)市場研究機構集邦咨詢(TrendForce)最新研究指出,受到 2017 年搭載 OLED 面板的智能手機數(shù)量大幅增加,以及 TDDI 技術所需 NOR Flash 產(chǎn)能提升的帶動,加上如美光、兆
雖著近來資料存儲的需求飆升,全球存儲器制造商產(chǎn)能引發(fā)供應瓶頸,正在經(jīng)歷超級周期。包括 NAND Flash 和 DRAM 存儲器價格漲幅接近 50% 到 60%,市場報價還在持續(xù)上揚。這情況也帶動日前連跌落低谷的編碼型快閃存儲器 (NOR Flash) 觸底反彈,漲幅出乎市場預料,且正在加速上漲。
英特爾公司(Intel Co., INTC)已開始交付根據(jù)新技術生產(chǎn)的第一批存儲器產(chǎn)品,公司希望該技術能夠重塑計算器存儲器市場,并讓自己從科技領域的數(shù)據(jù)爆炸中獲益更多。
2017年3月13日,在上海慕尼黑電子展的前夕舉辦了“汽車電子日”,會議現(xiàn)場異?;鸨?,全國各地的工程師匯聚一堂,共同見證汽車電子的過去,共謀汽車電子發(fā)展的未來。其中,ISSI技術市場經(jīng)理田步嚴在會上做
平面DRAM是內存單元數(shù)組與內存邏輯電路分占兩側,3D Super-DRAM則是將內存單元數(shù)組堆棧在內存邏輯電路的上方,因此裸晶尺寸會變得比較小,每片晶圓的裸晶產(chǎn)出量也會更多;這意味著3D Super-DRAM的成本可以低于平面DRAM。
編按:這是第幾篇關于東芝出售的文章了,其核心就是不想把東芝賣給中國,怕技術外流中國,日本政府覺得美國是最適合的出售選擇。國芯當自強呀,希望在未來不長的時間里,中國的高精尖技術能和其他技術強國一樣強大。
日前日本雜志曾報導,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省干部表示,為了避免東芝(Toshiba)半導體技術外流到中國,因此希望東芝半導體事業(yè)不要賣給鴻海。而根據(jù)日本媒體最新取得的資料顯示,東
目前正在沖刺 Nor Flash 產(chǎn)能與制成的利基型存儲器廠商華邦電,7 日同時公布 2017 年 2 月份營收,也宣布與德國工業(yè)自動化解決方案領導廠商西門子簽署客戶品質合約,成為西門子的存儲器供應商。
NAND Flash內存是flash內存的一種,其內部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND Flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
東芝為彌補核能設備事業(yè)大幅減損,終于愿意割愛視為核心的芯片事業(yè),也象征日本曾經(jīng)雄霸記憶芯片的時代,即將畫下句點。東芝原本只打算出售記憶芯片少數(shù)股價,但在本周公布核能事業(yè)減損63億美元后,東芝社長綱川智改口說,愿意出售主要股權甚至出售整個事業(yè),以補強東芝的財務。
近期,長江存儲和中科院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND Flash存儲器研發(fā)項目取得新進展,向產(chǎn)業(yè)化道路邁出關鍵一步。業(yè)內人士表示,國內廠商積極開展存儲芯片相關研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化工作,并取得了階段性進展。政策支持之下,隨著技術等逐漸成熟,行業(yè)發(fā)展將迎來拐點。在此背景下,上市公司紛紛發(fā)力拓展存儲芯片業(yè)務。