
在整個2016年至少有30家存儲廠商出現(xiàn)變動,要么被收購,要么就是消失掉了,這也顯示出存儲行業(yè)翻天覆地的變化。這里也帶大家回顧一番。
被視為次世代存儲器技術之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM),在2016年12月舉辦的國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果,最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產品,以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術實證。
受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升,以及PC、服務器、資料中心積極導入固態(tài)硬盤(SSD),NAND Flash需求正快速成長,各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進3D NAND Flash。中國已吹響進軍3D NAND Flash沖鋒號,若能整合好跨領域人才和技術,中國3D NAND Flash有望彎道超車。
據(jù)報道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
2016年DRAM市場情況可謂是“跌宕起伏”,上半年需求不振,持續(xù)跌價,第三季后,在中國智慧行手機出貨多,筆電出貨回溫的前提下,DRAM的平均銷售單價開始大幅度上揚。
通過觀察2016年全球半導體業(yè),可以看到如下跡象。
由于標準型存儲器價格一路看漲,使得2017年第一季服務器用存儲器模組價格也持續(xù)延燒,更帶動服務器廠商備貨的動能與需求。那么Intel、AMD、高通這些芯片大佬最近有什么新動作呢?
近日工信部公示了集成電路領域4項國家標準,主要集中在存儲器測試方面。
根據(jù)IC Insights最新的2017年預測,報告指出,在主要的IC類別中,內存芯片銷售預計在未來五年內表現(xiàn)出最強勁的增長速度。
三星電子存儲器產業(yè)從起步到成功,能帶給我們中國存儲器產業(yè)什么啟示?
明年首季智能機淡季恐更冷!美系外資調查顯示,大陸前2大手機品牌廠華為、OPPO因除存儲器等零組件短缺,美元走強影響新興市場匯率等,揮刀下砍明年首季訂單10%,預期明年首季
在經歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后,2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應商合并、產能控制還是新型應用頻出等過去認為是利好的事情,都沒有拯救
本文推出基于世強代理的瑞薩 RZ/A1的微型打印模塊系統(tǒng)方案:該系列MCU內置10M的存儲器,能有效降低系統(tǒng)成本。還具有豐富的外設及通信接口,為系統(tǒng)擴展功能及減小板子尺寸提供了條件。
自從2015年全球存儲器市場陷入困境,經歷個人電腦市場低迷,價格暴跌,頹勢延續(xù)到了2016年上半年,但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化,存儲器價格開始變得異常堅挺,而且持續(xù)到了2016結束。IC Insights預測2017年全球存儲器市場同比增長10%
關注單片機的存儲器在此之前,GR-SAKURA電路板(搭載瑞薩電子單片機“RX63N”)的程序設計是使用Web編譯器來進行的。將通過編譯器搭建的程序(Object Code,結果代
全球領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布推出擁有超強耐用性并可在斷電時保
摘要:介紹目前市場上最常見的幾種非易失低功耗靜態(tài)存儲介質,詳細說明Compact Flash Card軟、硬件接口;提出基于Compact Flash Card和TI公司的C24x、C28x系列DSP搭建體電信
TI的4-A同步直流/直流降壓轉換器可簡化汽車和工業(yè)應用設計并縮小系統(tǒng)尺寸德州儀器(TI)近日宣布推出業(yè)內首個完全集成的電源管理解決方案,該方案也是首個在汽車和工業(yè)應用中
在演算法交易領域的最新進展是導入一些更低延遲的解決方案,其中最佳的方式是使用FPGA搭建的客制硬體。這些FPGA硬體可說是硬編碼ASIC的極致性能和CPU的靈活度之間的橋梁,提
嵌入式系統(tǒng)解決方案領域的領導者賽普拉斯半導體公司(納斯達克股票交易代碼:CY)今日宣布其基于低引腳數(shù)HyperBus™接口的全新高速自刷新動態(tài)RAM(DRAM)現(xiàn)開始提供樣片。