
O 引言隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展,無論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求,都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動)下正常工作,并且易于保存的大容量視頻記錄設(shè)
美國加州理工學院(California Institute of Technology,Caltech)已經(jīng)證實,量子纏結(jié)(quantum entanglement)能同步傳遞整個量子信息區(qū)塊(block),為將來的“量子硬盤
1. Vxworks下的高速緩沖存儲器一致性問題美國風河(WindRiver)公司的VxWorks是目前最先進的實時嵌入式操作系統(tǒng)。Tornade是它的集成一體開發(fā)環(huán)境。然而,vxWorks下編程硬件驅(qū)
摘要:針對沒有集成ISP功能的MCU系統(tǒng),提出了一種通用的嵌入式系統(tǒng)Flash在線編程(ISP)方案。該方案借用RAM作為ISP的程序存儲器,可降低系統(tǒng)成本并具有較大的靈活性。以MC68332平臺為例,詳細介紹了這種ISP方案的具體
摘要:DS1991是一種多密鑰信息紐扣,文章介紹了DS1991的主要特點、工作原理及讀寫方法。給出了一種基于DS1991和PIC單片機的智能水卡設(shè)計方案,同時給出了整個系統(tǒng)的硬件組成原理和軟件設(shè)計方法。 關(guān)鍵詞:信息紐扣;
摘要:針對傳統(tǒng)硬件測試軟件的弊端,文章提出一種便攜式視頻數(shù)據(jù)邏輯分析存儲器的設(shè)計方法,這種分析存儲器能夠針對網(wǎng)絡(luò)多媒體數(shù)據(jù)進行采集、分析和存儲等操作。在不影響網(wǎng)絡(luò)正常傳輸?shù)那疤嵯?,針對TS流進行采集、存
半導體制程再告前進一里!財團法人國家實驗研究院國家納米元件實驗室成功開發(fā)出9納米的超節(jié)能存儲器陣列晶胞,不僅容量較快閃存儲器增加了20倍,同時也降低了兩百倍的功耗,
日系存儲器大廠爾必達(Elpida)雖然預期2010年第2季(7~9月)財報較2009年同期大幅增加,但相較上季卻是明顯縮水,主要還是受到個人計算機(PC)市場需求不振的影響,未來爾必達
DRAM拉貨潮啟動,加上芯片廠制程推進受阻,主流DDR34Gb顆粒現(xiàn)貨報價攀上4.35美元,創(chuàng)近一年半新高價,本季漲幅近二成,有機會向歷史新高4.6美元邁進,華亞科、南科將成為大贏家。DRAM市調(diào)機構(gòu)集邦科技表示,本季DRAM
摘要:在對ARM體系結(jié)構(gòu)進行分析的基礎(chǔ)上,介紹了32位ARM核處理器W90N740的結(jié)構(gòu)特點和優(yōu)異性能,討論了它的應用方法。給出了用 W90N740芯片降低系統(tǒng)成本的實現(xiàn)方案。 關(guān)鍵詞
摘要:文中介紹了MOTOROLA公司的嵌入式微處理器MCF5249的原理、特點和引腳功能,說明了基于該處理器和嵌入式操作系統(tǒng)UCLINUX的網(wǎng)絡(luò)相機結(jié)構(gòu),給出了用MCF5249進行網(wǎng)絡(luò)相機設(shè)
摘要:提出一種可進化IP核的設(shè)計和實現(xiàn)方法。這種IP核采用進化硬件的設(shè)計思想,將遺傳算法運用于硬件電路的設(shè)計中,使電路能根據(jù)當前的環(huán)境自動進行內(nèi)部電路的時化,從而生
美系存儲器大廠美光(Micron)交出連續(xù)4季獲利財報,美光近幾年多角化發(fā)展十分成功,目前DRAM營收比重有僅剩下25%,受到下半年標準型DRAM價格重挫的沖擊已大幅減少;然值得注意
一家股東包括半導體設(shè)備大廠應用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲器公司Adesto Technologies,正準備推出首款導電橋接隨機存取存儲器(conductive-bridging RAM, CBRAM
上世紀60年代,英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目,約每隔18個月便會增加一倍,性能也將提升一倍。然而,芯片的進一
來自北京清華大學的研究人員開發(fā)出一種新技術(shù),號稱能讓MARM的儲存速度與功耗大幅改善;這種電子開關(guān)(electrical switching)技術(shù)寫入位元所需的能源較少。上述新技術(shù)的基本
據(jù)美國物理研究所出版的《應用物理》雜志報道,日本東北大學的科學家們在試驗室中使用鐵電存儲技術(shù)將存儲芯片的存儲密度提升到了每平方英寸4Tbit,達成了鐵電存儲體的新世界
低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布,已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias™無線存儲器商用樣
全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示,由于DRAM大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標準型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體,加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進有延宕的情形
全球市場研究機構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示,由于 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標準型記憶體轉(zhuǎn)移至行動式記憶體,加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進有延宕的情形