
存儲(chǔ)器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%,稅后獲利較上季成長(zhǎng)率高達(dá)222%;總經(jīng)理詹東義表示,華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷,第2季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM營(yíng)收比重降至2%,未來(lái)華邦是全方面存儲(chǔ)器供應(yīng)商,第2季表現(xiàn)最佳的是NORFlash產(chǎn)品線,
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì), 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu),今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)。DDR3L 將促使應(yīng)用存儲(chǔ)器的涉
JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì),微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu),今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)。DDR3L 將促使應(yīng)用存儲(chǔ)器的涉
Ramtron International Corporation(簡(jiǎn)稱Ramtron)宣布,已經(jīng)開始提供基于F-RAM的MaxArias™無(wú)線存儲(chǔ)器商用樣片。Ramtron的MaxArias™系列無(wú)線存儲(chǔ)器將非易失性F-RAM存儲(chǔ)器技術(shù)的低功耗、高速度和高耐久性
1 引言 在中國(guó)有許多因創(chuàng)傷性顱腦損傷的患者急需搶救,但相當(dāng)一部分顱內(nèi)出血患者因未能及時(shí)診斷,延誤了搶救和治療時(shí)機(jī).因而出現(xiàn)腦血腫或腦疝后壓迫腦組織.使腦干和腦實(shí)質(zhì)受到不可逆轉(zhuǎn)的損傷。近紅外顱內(nèi)出血檢測(cè)設(shè)
2010年已經(jīng)過去7個(gè)月,回顧歷程覺得有些”異?!?,如2009年初時(shí)悲觀的情緒籠罩一切,進(jìn)入到2010年初時(shí)產(chǎn)業(yè)形勢(shì)己明顯復(fù)蘇,而且似乎好得讓人不太敢相信,有時(shí)在腦海中會(huì)反復(fù)的追問,有可能嗎? 然而各市場(chǎng)分析公司在
乘著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)甦潮,存儲(chǔ)器供應(yīng)商與晶圓代工廠可說(shuō)是2010上半年表現(xiàn)最佳的一群;根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IC Insights公布的最新全球前二十大半導(dǎo)體廠商排行榜,存儲(chǔ)器廠商與晶圓代工廠是名次進(jìn)步最多的一群。在全球前
在此波半導(dǎo)體業(yè)上升周期的強(qiáng)勁推動(dòng)下,存儲(chǔ)器與代工制造商在2010年上半年的表現(xiàn)最為亮麗,這是由ICInsight公司剛公布的2010年上半年全球前20大排名中得知。全球5大存儲(chǔ)器制造商都進(jìn)入前20大排名之中,三星仍雄居第二
在此波半導(dǎo)體業(yè)上升周期的強(qiáng)勁推動(dòng)下,存儲(chǔ)器與代工制造商在2010年上半年的表現(xiàn)最為亮麗,這是由IC Insight公司剛公布的2010年上半年全球前20大排名中得知。全球5大存儲(chǔ)器制造商都進(jìn)入前20大排名之中,三星仍雄居第二
1 引言 在中國(guó)有許多因創(chuàng)傷性顱腦損傷的患者急需搶救,但相當(dāng)一部分顱內(nèi)出血患者因未能及時(shí)診斷,延誤了搶救和治療時(shí)機(jī).因而出現(xiàn)腦血腫或腦疝后壓迫腦組織.使腦干和腦實(shí)質(zhì)受到不可逆轉(zhuǎn)的損傷。近紅外顱內(nèi)出血檢測(cè)設(shè)
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的整體復(fù)蘇,2010年ATE市場(chǎng)預(yù)計(jì)也將翻番。但存儲(chǔ)器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢(mèng)達(dá)的破產(chǎn),二手ATE測(cè)試設(shè)備還處于消化過程中。為布局即將增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器測(cè)試市場(chǎng),Verigy推出了全新的適用于未來(lái)3代高速
“我準(zhǔn)備把新一代存儲(chǔ)技術(shù)帶到中國(guó)!”美國(guó)工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲(chǔ)器將是未來(lái)存儲(chǔ)的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任。憑借在研發(fā)“互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體
“我準(zhǔn)備把新一代存儲(chǔ)技術(shù)帶到中國(guó)!”美國(guó)工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示,相變存儲(chǔ)器將是未來(lái)存儲(chǔ)的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任。憑借在研發(fā)“互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體
惠瑞捷 (Verigy)推出了全新的 HSM3G 高速存儲(chǔ)器測(cè)試解決方案,進(jìn)一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲(chǔ)器 IC 和更高級(jí)存儲(chǔ)器件測(cè)試能力的 V93000 HSM 平臺(tái)。V93000 HSM3G 獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)在于其未來(lái)的可升級(jí)性,能夠?yàn)閿?shù)據(jù)傳輸
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的整體復(fù)蘇,2010年ATE市場(chǎng)預(yù)計(jì)也將翻番。但存儲(chǔ)器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢(mèng)達(dá)的破產(chǎn),二手ATE測(cè)試設(shè)備還處于消化過程中。為布局即將增長(zhǎng)的存儲(chǔ)器測(cè)試市場(chǎng),Verigy推出了全新的適用于未來(lái)3代高速
摘要:設(shè)計(jì)一種基于PCIe總線的不間斷采樣和傳輸?shù)某咚贁?shù)據(jù)采集卡。利用雙400MHz、14位AID轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)了800 MHz、14位的信號(hào)高速、高精度采集,論述了利用Xilinx公司FPGA的IPCORE設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)PCIe總線控制接口?;赑CIe
“中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎(chǔ),如果要趕超世界先進(jìn)水平,必須要找準(zhǔn)方向、加強(qiáng)合作。”現(xiàn)任美國(guó)國(guó)家工程院院士馬佐平26日在廣州接受新華社記者采訪時(shí)說(shuō)。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國(guó)耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主
半導(dǎo)體測(cè)試公司惠瑞捷 (Verigy)在韓國(guó)一家不具名客戶的生產(chǎn)廠內(nèi)安裝并驗(yàn)證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當(dāng)今 GDDR5超快存儲(chǔ)集成電路 (IC)(運(yùn)行速度超過每接腳4 Gbps)的快速高良
2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價(jià)格一路飛漲,盡管各家NOR Flash廠對(duì)于第3季價(jià)格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫
2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)最夯產(chǎn)品非NORFlash莫屬,從年初開始供貨吃緊且價(jià)格一路飛漲,盡管各家NORFlash廠對(duì)于第3季價(jià)格都是持續(xù)看漲,但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌,其中,旺宏與華邦大舉擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能,飛索(Spansion)脫離