
關(guān)鍵字: 供應(yīng)商 十億美元俱樂(lè)部 芯片制造商 根據(jù)IC Insights的數(shù)據(jù),在2010年預(yù)計(jì)會(huì)有9家公司進(jìn)入10億美元資本開(kāi)銷俱樂(lè)部。 根據(jù)該公司的研究,盡管現(xiàn)在芯片制造商越來(lái)越少,也在控制資本開(kāi)銷,但相比之下200
2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空,DRAM價(jià)格大跌,所幸NANDFlash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì),存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響,而呈
三星電子一位副總經(jīng)理跳樓自殺身亡。這位高層是三星電子芯片部門(mén)的開(kāi)發(fā)專家。據(jù)首爾江南警察署1月26日稱,當(dāng)天上午10時(shí)30分許,三星電子副總經(jīng)理李某的尸體在首爾江南區(qū)的一處公寓被發(fā)現(xiàn)。警方稱:“目前推定李
存儲(chǔ)器大廠Micron以50:50比例與澳大利亞OriginEnergy公司組成合資的光伏技術(shù)公司。 至此關(guān)于合資公司的細(xì)節(jié)未能透露。2009年5月Micron曾準(zhǔn)備化500萬(wàn)美元來(lái)促進(jìn)LEDSolar方面的嘗試。 該項(xiàng)目執(zhí)行總經(jīng)理AndrewStoc
由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加,因此針對(duì)更高的速度和性能,設(shè)計(jì)人員對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。下一代雙數(shù)據(jù)速率(DDR)SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優(yōu)勢(shì)。這些器件的功耗更低,能以更高的速度工作,有更高的性能(2倍的帶寬),并有更大的密度。
為了滿足多房間觀看電視和多頻道欣賞的要求,可通過(guò)DDR2和PCI連接多個(gè)DM6467數(shù)字媒體處理器,以在不同設(shè)備間交換數(shù)據(jù),并確保架構(gòu)的可擴(kuò)展性。
全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲,DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌,且累積庫(kù)存越來(lái)越多,近期韓系DRAM大廠開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買(mǎi)DDR3
全球DRAM市場(chǎng)正加速進(jìn)行世代交替,DDR3芯片因缺貨使得價(jià)格持續(xù)上漲,DDR2價(jià)格卻嚴(yán)重下跌,且累積庫(kù)存越來(lái)越多,近期韓系DRAM大廠開(kāi)始祭出買(mǎi)DDR3模塊必須搭配買(mǎi)DDR2模塊的搭售策略,希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購(gòu)買(mǎi)DDR3
DDR2和DDR31月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異,DDR2合約價(jià)大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來(lái)臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺(tái)系DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異,DDR2合約價(jià)大跌,DDR3卻大漲,凸顯世代交替已提前來(lái)臨,將加速DDR2需求急速降溫,快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上,近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3,尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶
存儲(chǔ)器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。縱觀DRAM發(fā)展的歷史,
2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠,紛積極募資搶錢(qián),而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢(qián),未來(lái)再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援,
2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠,紛積極募資搶錢(qián),而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢(qián),未來(lái)再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援,
由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求上升,但是投資顯得嚴(yán)重不足,所以今年可能出現(xiàn)供不應(yīng)求局面。按ICInsight數(shù)據(jù),在2007年存儲(chǔ)器投資達(dá)323億美元,而在2009年為68億美元,預(yù)計(jì)2010年為144億美元。Bill McClean認(rèn)為即便存儲(chǔ)器投資1
Maxim推出集成MTP (多次可編程)存儲(chǔ)器的10位gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)MAX9672/MAX9673/MAX9674。器件省去了數(shù)字可變電阻、VCOM放大器、gamma緩沖器、電阻串和高壓線性穩(wěn)壓器等多個(gè)分立元件,極大地降低了方案成本。Maxim的M
哈哈,前一個(gè)項(xiàng)目終于完成了,費(fèi)了那么多天的勁,確實(shí)也找到了一些設(shè)計(jì)上的缺陷和不合理的地方,在代碼中也找到了幾個(gè)BUG.呵呵. 現(xiàn)在將我在FPGA部分設(shè)計(jì)的一點(diǎn)心得記錄下來(lái). 故障情況: 外部EEPROM存儲(chǔ)器在設(shè)備上電過(guò)程
芯片設(shè)計(jì)的進(jìn)度經(jīng)常估不準(zhǔn),連帶影響芯片的開(kāi)發(fā)成本、芯片的上市時(shí)間、及上市后的銷售。許多芯片投制商(ASIC Supplier)會(huì)用總項(xiàng)目管理數(shù)據(jù)庫(kù)來(lái)估算芯片投制設(shè)計(jì)的進(jìn)度。同時(shí)絕大多數(shù)的進(jìn)度估算都認(rèn)為,投制設(shè)計(jì)完成
摘 要: 新型超大容量Flash存儲(chǔ)器K9F2G08U0M的基本組織結(jié)構(gòu),給出了存儲(chǔ)器與C8051F020單片機(jī)外部存儲(chǔ)器接口(EMIF)的硬件連接方式以及存儲(chǔ)器的主要操作流程和部分C語(yǔ)言代碼。關(guān)鍵詞: K9F2G08U0M 外部存儲(chǔ)器接口 管道
按ICInsight的觀點(diǎn)必須依重組經(jīng)濟(jì)的思維來(lái)看待全球IC產(chǎn)業(yè)的前景。 僅僅12個(gè)月IC產(chǎn)業(yè)結(jié)束了歷史上最動(dòng)蕩的季度業(yè)績(jī)變化。ICInsight總裁BillMaClean指出,當(dāng)2008Q4和2009Q1時(shí)IC出貨量達(dá)到創(chuàng)記錄的季度最低值時(shí),此后的
摘要:就閃存應(yīng)用于星載大容量存儲(chǔ)器時(shí)的寫(xiě)入速度慢、存在無(wú)效塊等關(guān)鍵問(wèn)題探討了可行性解決方案,并在方案討論的基礎(chǔ)上論述了一個(gè)基于閃存的大容量存儲(chǔ)器的演示樣機(jī)的實(shí)現(xiàn)。 無(wú)效塊空間飛行器的數(shù)據(jù)記錄設(shè)備是