新能源為寬禁帶半導(dǎo)體帶來(lái)機(jī)遇

功率半導(dǎo)體芯片目前發(fā)展到第3代，即以碳化硅和氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，它們具有導(dǎo)熱率高、擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低、禁帶寬度高、飽和漂移速度高等一系列優(yōu)勢(shì)。以新能源汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器為例，采用寬禁帶半導(dǎo)體芯片可以提高效率、節(jié)省冷卻系統(tǒng)體積、提高功率密度，使電池效率提高10%，這是一個(gè)很大的比例。