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導(dǎo)通壓降

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  • IGBT 損壞機理分析及保護電路設(shè)計原理

    絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領(lǐng)域的核心器件，融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導(dǎo)通壓降優(yōu)勢，在新能源汽車、軌道交通、工業(yè)變頻器、光伏逆變器等中高壓、大電流場景中廣泛應(yīng)用。其工作原理基于 MOS 柵極控制 PN 結(jié)導(dǎo)通與關(guān)斷，實現(xiàn)電能的高效轉(zhuǎn)換，但在復(fù)雜工況下，器件易受多種因素影響發(fā)生損壞，因此深入分析損壞機理并設(shè)計可靠的保護電路至關(guān)重要。