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帶隙半導(dǎo)體

關(guān)注1人關(guān)注

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EPC 在意大利開設(shè)基于 GaN 的電機(jī)驅(qū)動設(shè)計應(yīng)用中心

新興電子應(yīng)用需要能夠從更緊湊的平臺中獲得更高性能的電機(jī)設(shè)計。設(shè)計人員很難滿足基于傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 的電機(jī)驅(qū)動器電路的新要求。隨著硅技術(shù)達(dá)到功率密度、擊穿電壓和開關(guān)頻率的理論極限，設(shè)計人員控制功率損耗變得更加困難。這些限制的主要影響是在高工作溫度和高開關(guān)率下的次優(yōu)效率和額外的性能問題。

功率器件
2022-11-07

氮化鎵帶隙半導(dǎo)體

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