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平面mos

關(guān)注人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

羅姆第二代超級(jí)結(jié)MOS-PrestoMOS要把平面MOS虐到哭

在超級(jí)結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要設(shè)計(jì)平臺(tái)是基于平面技術(shù)?，F(xiàn)如今，基于超級(jí)結(jié)技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。它們提供更低的RDS(on)，同時(shí)具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在高頻

21ic專訪
2017-07-11

技術(shù)專訪羅姆超級(jí)結(jié)mos 平面mos

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