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平面nand

我要報(bào)錯(cuò)

  • 3D NAND亟待解決的技術(shù)問(wèn)題，你知道答案嗎？

    3D NAND閃存是一種新興的閃存類(lèi)型，通過(guò)把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來(lái)解決2D或者平面NAND閃存帶來(lái)的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限，給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來(lái)嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù)，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類(lèi)NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類(lèi)移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。