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開關電源EMI

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IC封裝對EMI性能的影響

開關電源中電磁干擾 (EMI) 的起源可以追溯到功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 開關過程中產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt)。）設備。

電源電路
2021-11-24

開關電源EMI 器件封裝

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