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選定電源IC與MOS管之后，如何選擇合適的驅(qū)動(dòng)電路？
驅(qū)動(dòng)電路作為電源 IC 與 MOS 管的 “橋梁”，其選型需滿(mǎn)足三大核心要求：快速充放電能力(確保 MOS 管開(kāi)關(guān)速度)、參數(shù)匹配性(適配 IC 驅(qū)動(dòng)能力與 MOS 特性)、穩(wěn)定性與損耗平衡(抑制振蕩并降低功耗)。具體需優(yōu)先評(píng)估兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)： 電源 IC 的驅(qū)動(dòng)峰值電流：查閱芯片手冊(cè)確認(rèn)最大輸出電流，若電流不足，MOS 管柵極寄生電容(Ciss)無(wú)法快速充電，會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)延遲和損耗增加。 MOS 管的寄生電容特性：Ciss 值越小，驅(qū)動(dòng)所需能量越少;若 Ciss 較大，需對(duì)應(yīng)提升驅(qū)動(dòng)電路的電流供給能力，否則會(huì)引發(fā)上升沿振蕩或開(kāi)關(guān)效率下降。
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三極管的工作原理是什么？如何提高三極管的開(kāi)關(guān)速度？
一直以來(lái)，三極管都是大家的關(guān)注焦點(diǎn)之一。因此針對(duì)大家的興趣點(diǎn)所在，小編將為大家?guī)?lái)三極管的相關(guān)介紹，詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)看下文。
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提高三極管的開(kāi)關(guān)速度的幾種方法？
▼點(diǎn)擊下方名片，關(guān)注公眾號(hào)▼歡迎關(guān)注【玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入式】公眾號(hào)，回復(fù)關(guān)鍵字獲取更多免費(fèi)資料?；貜?fù)【電容】，獲取電容、元器件選型相關(guān)的內(nèi)容；回復(fù)【阻抗匹配】，獲取電磁兼容性、阻抗匹配相關(guān)的資料回復(fù)【資料】，獲取全部電子設(shè)計(jì)、單片機(jī)開(kāi)發(fā)相關(guān)的資料回復(fù)【終端電阻】，獲取CAN終端電阻...
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三極管的開(kāi)關(guān)速度
晶體管的開(kāi)關(guān)速度即由其開(kāi)關(guān)時(shí)間來(lái)表征，開(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)速度就越快。BJT的開(kāi)關(guān)過(guò)程包含有開(kāi)啟和關(guān)斷兩個(gè)過(guò)程，相應(yīng)地就有開(kāi)啟時(shí)間ton和關(guān)斷時(shí)間toff，晶體管的總開(kāi)關(guān)時(shí)間就是ton與toff之和。 如何提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度?——可以從器件設(shè)計(jì)和使用技術(shù)兩個(gè)方面來(lái)加以考慮。
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IGBT可靠性分析 輸出電壓沿速率與開(kāi)關(guān)速率的關(guān)系
現(xiàn)如今科技飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)化已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足電力設(shè)備的需要。新型變頻設(shè)備崛起的同時(shí)，大功率IGBT的應(yīng)用也逐漸增多起來(lái)，IGBT的可靠性直接關(guān)系到變頻的效率與電力設(shè)備
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松下通過(guò)GaN倒裝芯片封裝技術(shù) 電路開(kāi)關(guān)速度提高1.7倍
松下首次參加了2014年5月于德國(guó)舉行的功率電子領(lǐng)域全球最大規(guī)模的展會(huì)“PCIM Europe”。該公司的亮點(diǎn)展品是由采用GaN及SiC等新一代功率半導(dǎo)體元件構(gòu)成的電源電路和模塊產(chǎn)品。 松下積極展示的是采用600V
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科學(xué)家發(fā)現(xiàn)磁鐵礦電子開(kāi)關(guān)速度可達(dá)萬(wàn)億分之一秒
近日消息，美國(guó)科學(xué)家表示，他們發(fā)現(xiàn)普通磁鐵礦內(nèi)的電子開(kāi)關(guān)一次僅需萬(wàn)億分之一秒，這一速度或許創(chuàng)下了新高。發(fā)表在今天出版的《自然·材料學(xué)》雜志的最新研究將有助于科學(xué)家們研制出更“迷你”的晶
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