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選定電源IC與MOS管之后，如何選擇合適的驅動電路？
驅動電路作為電源 IC 與 MOS 管的 “橋梁”，其選型需滿足三大核心要求：快速充放電能力(確保 MOS 管開關速度)、參數(shù)匹配性(適配 IC 驅動能力與 MOS 特性)、穩(wěn)定性與損耗平衡(抑制振蕩并降低功耗)。具體需優(yōu)先評估兩個關鍵參數(shù)： 電源 IC 的驅動峰值電流：查閱芯片手冊確認最大輸出電流，若電流不足，MOS 管柵極寄生電容(Ciss)無法快速充電，會導致開關延遲和損耗增加。 MOS 管的寄生電容特性：Ciss 值越小，驅動所需能量越少;若 Ciss 較大，需對應提升驅動電路的電流供給能力，否則會引發(fā)上升沿振蕩或開關效率下降。
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三極管的工作原理是什么？如何提高三極管的開關速度？
一直以來，三極管都是大家的關注焦點之一。因此針對大家的興趣點所在，小編將為大家?guī)砣龢O管的相關介紹，詳細內容請看下文。
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提高三極管的開關速度的幾種方法？
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三極管的開關速度
晶體管的開關速度即由其開關時間來表征，開關時間越短，開關速度就越快。BJT的開關過程包含有開啟和關斷兩個過程，相應地就有開啟時間ton和關斷時間toff，晶體管的總開關時間就是ton與toff之和。 如何提高晶體管的開關速度?——可以從器件設計和使用技術兩個方面來加以考慮。
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IGBT可靠性分析 輸出電壓沿速率與開關速率的關系
現(xiàn)如今科技飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的電力轉化已經無法滿足電力設備的需要。新型變頻設備崛起的同時，大功率IGBT的應用也逐漸增多起來，IGBT的可靠性直接關系到變頻的效率與電力設備
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松下通過GaN倒裝芯片封裝技術 電路開關速度提高1.7倍
松下首次參加了2014年5月于德國舉行的功率電子領域全球最大規(guī)模的展會“PCIM Europe”。該公司的亮點展品是由采用GaN及SiC等新一代功率半導體元件構成的電源電路和模塊產品。 松下積極展示的是采用600V
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科學家發(fā)現(xiàn)磁鐵礦電子開關速度可達萬億分之一秒
近日消息，美國科學家表示，他們發(fā)現(xiàn)普通磁鐵礦內的電子開關一次僅需萬億分之一秒，這一速度或許創(chuàng)下了新高。發(fā)表在今天出版的《自然·材料學》雜志的最新研究將有助于科學家們研制出更“迷你”的晶
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