MOS 管作為電力電子電路中的核心開關(guān)元件,其工作狀態(tài)主要分為導(dǎo)通區(qū)、恒流區(qū)(飽和區(qū))和夾斷區(qū)(截止區(qū))三大區(qū)域。導(dǎo)通區(qū)時,MOS 管導(dǎo)通電阻極低,電流通過時損耗可忽略;夾斷區(qū)時,漏源極之間幾乎無電流通過,同樣處于低損耗狀態(tài)。而恒流區(qū)與夾斷區(qū)的臨界點(diǎn),是 MOS 管從導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的關(guān)鍵過渡階段,此時器件的電壓、電流特性發(fā)生劇烈變化,成為損耗與發(fā)熱的核心敏感區(qū)。