Cool-MOS的優(yōu)勢，你了解嗎？

你知道什么是Cool-MOS嗎?對于常規(guī)VDMOS 器件結(jié)構(gòu)， Rdson 與BV 這一對矛盾關(guān)系，要想提高BV，都是從減小EPI 參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了，電阻必然變大，Rdson 就大了。Rdson直接決定著MOS 單體的損耗大小。所以對于普通VDMOS，兩者矛盾不可調(diào)和，這就是常規(guī)VDMOS的局限性。但是對于COOLMOS，這個矛盾就不那么明顯了。