對于超薄介質(zhì),由于存在大的漏電和非線性,通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而,使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點,對于高性能/低成本數(shù)字電路,RF電路,以及模擬/數(shù)?;旌想娐分械钠骷?,這方面的挑戰(zhàn)也在增加。
是德科技創(chuàng)新技術(shù)峰會來襲,報名領(lǐng)好禮
野火F103開發(fā)板-MINI教學(xué)視頻(中級篇)
stm32 嵌入式從入門到精通
C 語言靈魂 指針 黃金十一講 之(2)
正點原子-手把手教你學(xué)ALIENTEK STemWin
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號