對(duì)于超薄介質(zhì),由于存在大的漏電和非線性,通過標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而,使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn),對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路,RF電路,以及模擬/數(shù)?;旌想娐分械钠骷@方面的挑戰(zhàn)也在增加。
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