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有源電壓

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IGBT串聯(lián)用的有源電壓控制技術

1 引言絕緣柵雙極晶體管IGBT自上世紀80年代問世以來，由于其輸入阻抗高、開關速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的性能，在電力電子領域中得到了廣泛的應用。然而，由于半導體器件本身的材料和結構原因，IG

功率器件
2012-05-11

串聯(lián) 控制技術 IGBT 有源電壓