-
IGBT 損壞機理分析及保護電路設計原理
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為電力電子領域的核心器件，融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降優(yōu)勢，在新能源汽車、軌道交通、工業(yè)變頻器、光伏逆變器等中高壓、大電流場景中廣泛應用。其工作原理基于 MOS 柵極控制 PN 結導通與關斷，實現(xiàn)電能的高效轉換，但在復雜工況下，器件易受多種因素影響發(fā)生損壞，因此深入分析損壞機理并設計可靠的保護電路至關重要。
-
我國能否建立起有影響力的AI開源開放平臺？
近日，由鵬城實驗室、新一代人工智能產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同舉辦的“新一代人工智能院士高峰論壇”在深圳拉開帷幕。本次論壇以“「頭雁」穿云，云腦啟智”為主題，匯聚了國內人工智能領域頂尖專家，共同探討行業(yè)變革與技術創(chuàng)新、探尋AI邊界。
-
中國IGBT不再“一芯難求”，本土廠商同歐日三分天下
國內汽車界中，“一芯難求”的現(xiàn)狀被打破了。
