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突破！西安高校團隊從 8 英寸硅片制備出氧化鎵外延片~
據(jù)業(yè)內(nèi)消息，本周西安一高校半導體研究團隊宣布在半導體材料研究上取得突破！該研究成功在 8 英寸硅片中制備出高質(zhì)量的氧化鎵外延片，標志著在超寬禁帶半導體研究上取得重要進展。
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SiC和GaN并不是終點，功率半導體氧化鎵到底是什么
SiC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來。
