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氮化物

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  • 更薄的IIIA族氮化物結構

    隨著社會的不斷進步，技術的不斷發(fā)展，科技產品也日新月異，產品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設計者來設計，功率器件對電子產品是功不可沒的。瑞典的研究人員在碳化硅(SiC)上生長出更薄的IIIA族氮化物結構，以期實現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管(T-HEMT)和其他器件。