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CMOS電路中NMOS一端直接接到電源的注意事項(xiàng)
在CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)電路設(shè)計(jì)中，NMOS(N型金屬氧化物半導(dǎo)體)管的合理連接是保障電路性能、穩(wěn)定性和可靠性的關(guān)鍵。NMOS管的核心特性是通過(guò)柵源電壓控制漏源極之間的導(dǎo)通與截止，其襯底通常接地(對(duì)于增強(qiáng)型NMOS)，這一結(jié)構(gòu)決定了其電壓耐受范圍和工作機(jī)制。實(shí)際設(shè)計(jì)中，若因功能需求需將NMOS一端(漏極或源極)直接接到電源，需突破常規(guī)連接邏輯，此時(shí)必須重點(diǎn)關(guān)注電壓匹配、襯偏效應(yīng)、擊穿風(fēng)險(xiǎn)等核心問(wèn)題，否則易導(dǎo)致器件損壞、電路功能失效甚至系統(tǒng)崩潰。本文將從NMOS器件特性出發(fā)，詳細(xì)闡述一端直接接電源時(shí)的核心注意事項(xiàng)，為電路設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。
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如何測(cè)試mos管開(kāi)關(guān)速度？mos管源極和漏極有什么區(qū)別？
在下述的內(nèi)容中，小編將會(huì)對(duì)mos管的相關(guān)消息予以報(bào)道，如果mos管是您想要了解的焦點(diǎn)之一，不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。
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mos管開(kāi)關(guān)電路原理詳解
D是漏極，S是源極，G是柵極，中間的箭頭表示襯底，如果箭頭向里表示是N溝道的MOS管，箭頭向外表示是P溝道的MOS管。
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你知道場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以調(diào)換嗎？
關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極，你知道它們可以互換使用嗎?我們?cè)谧鲭娐吩O(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開(kāi)關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別工作性質(zhì)：
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關(guān)于柵極，源極，漏極，你能區(qū)分嗎？
學(xué)過(guò)電路的人都知道柵極，源極，漏極，那么真的能分清柵極，源極，漏極嗎?柵極，源極，漏極，三個(gè)名字是從英文而來(lái)的。
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OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET，你知道嗎？
什么是OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET?它有什么作用?英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過(guò)專注于解決當(dāng)前電源管理設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)，來(lái)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進(jìn)。“源極底置”是符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
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