IGBT過(guò)流致芯片正中心燒點(diǎn)的工況與機(jī)理分析

絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子系統(tǒng)的核心開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)變頻、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域。在實(shí)際運(yùn)行中，過(guò)流引發(fā)的芯片燒毀是最常見(jiàn)的失效模式之一，而燒點(diǎn)位置的差異往往對(duì)應(yīng)著不同的失效機(jī)理。其中，芯片正中心出現(xiàn)燒點(diǎn)的現(xiàn)象在三相全橋等大功率應(yīng)用場(chǎng)景中尤為典型，其形成并非單一因素導(dǎo)致，而是電流分布、熱傳導(dǎo)、封裝結(jié)構(gòu)及保護(hù)機(jī)制等多因素協(xié)同作用的結(jié)果。本文將深入剖析IGBT過(guò)流時(shí)芯片正中心產(chǎn)生燒點(diǎn)的具體工況與內(nèi)在機(jī)理，為失效診斷與系統(tǒng)優(yōu)化提供參考。