Si MOSFET管因為其輸入阻抗高,隨著其反向耐壓的提高,通態(tài)電阻也急劇上升,從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件,具有飽和電子漂移速度高、電場擊
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