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電子遷移

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  • 芯片設計問題須知及設計策略

    電流密度過高導致金屬原子逐漸置換，這時就會產(chǎn)生電子遷移問題。當很長時間內(nèi)在同一個方向有過多電流流過時，在互連線上會開始形成空洞(Void，原子耗盡時出現(xiàn))和小丘(hillock，原子積聚時產(chǎn)生)。足夠多的原子被置換后，會產(chǎn)生斷路或短路。當小丘觸及鄰近的互連線時，短路出現(xiàn)，從而引起芯片失效。