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使用GaN增加電源的功率，并且能夠較小電源的體積優(yōu)勢
隨著在晶體管制造中引入新的寬帶隙材料，例如氮化鎵 (GaN)，顯著的品質(zhì)因數(shù)改進轉(zhuǎn)化為電源的潛在改進。使用比硅基半導體具有更高帶隙的新型材料可以減小芯片尺寸，同時保持相同的阻斷電壓。
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采用eSIP功率封裝減小電源體積
開關(guān)電源在全世界范圍內(nèi)被廣泛用于各種設備的插墻式適配器和內(nèi)部電源。電源設計工程師長期以來都在設法降低開關(guān)電源的設計成本、提高電源效率，并使設計能滿足最小空間的要
