單片機(jī)最小系統(tǒng)解析(電源、晶振和復(fù)位電路)

我們?cè)趯W(xué)習(xí)過(guò)程中，很多指標(biāo)都是直接用的概念指標(biāo)，比如我們說(shuō) +5 V 代表1，GND 代表0等等。但在實(shí)際電路中的電壓值并不是完全精準(zhǔn)的，那這些指標(biāo)允許范圍是什么呢?隨著我們

光控報(bào)警器電路圖解，光控報(bào)警電路原理

現(xiàn)實(shí)中的世界是電子技術(shù)的世界——模擬電路+數(shù)字電路。模擬電路中行走的是連續(xù)的信號(hào)，也就是說(shuō)基于時(shí)間為參數(shù)的各種函數(shù)，而數(shù)字電路就干脆多了，就兩種狀態(tài)高電

三相橋式全控電路電路圖及工作原理

什么是三相橋式整流電路?橋式整流電路是使用最多的一種整流電路。這種電路，只要增加兩只二極管口連接成“橋”式結(jié)構(gòu)，便具有全波整流電路的優(yōu)點(diǎn)，而同時(shí)在一定程

cd4047引腳圖及其各腳功能說(shuō)明

CD4047 由可選通的非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器組成，可用作正/反向邊沿觸發(fā)單穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器，具有重觸發(fā)和外部計(jì)數(shù)選項(xiàng)功能。輸入端包括 TR+、TR-、AST、AST 、 RET 及 CR。緩沖輸出

STM32的IO口輸入輸出模式的理解

最近在看數(shù)據(jù)手冊(cè)的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在Cortex-M3里，對(duì)于GPIO的配置種類有8種之多：(1)GPIO_Mode_AIN 模擬輸入(2)GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空輸入(3)GPIO_Mode_IPD 下拉輸入(4)GP

真空斷路器常見(jiàn)故障分析和處理辦法

本文從真空斷路器運(yùn)行中常見(jiàn)的故障著手，進(jìn)行故障分析和提供處理方法，希望可以增加用戶對(duì)真空斷路器方面的技術(shù)積累。常見(jiàn)的高壓真空斷路器故障分析與處理真空斷路器的優(yōu)越

斷路器主回路電阻超標(biāo)問(wèn)題分析及解決對(duì)策

斷路器主回路電阻超標(biāo)是如今電力系統(tǒng)的一大難題，斷路器作為電力系統(tǒng)的核心設(shè)備，在其中出現(xiàn)某一差錯(cuò)，都有可能影響電力系統(tǒng)的運(yùn)行，因此，我們要引起高度重視。今天，我們

模擬放大電路的四大特點(diǎn)分析

放大是最基本的模擬信號(hào)處理功能，它是通過(guò)放大電路實(shí)現(xiàn)的，大多數(shù)模擬電子系統(tǒng)中都應(yīng)用了不同類型的放大電路。放大電路也是構(gòu)成其他模擬電路，如濾波、振蕩、穩(wěn)壓等功能電

模擬放大電路的四大特點(diǎn)分析

放大是最基本的模擬信號(hào)處理功能，它是通過(guò)放大電路實(shí)現(xiàn)的，大多數(shù)模擬電子系統(tǒng)中都應(yīng)用了不同類型的放大電路。放大電路也是構(gòu)成其他模擬電路，如濾波、振蕩、穩(wěn)壓等功能電

STM32的IO口輸入輸出模式的理解

最近在看數(shù)據(jù)手冊(cè)的時(shí)候，發(fā)現(xiàn)在Cortex-M3里，對(duì)于GPIO的配置種類有8種之多：(1)GPIO_Mode_AIN 模擬輸入(2)GPIO_Mode_IN_FLOATING 浮空輸入(3)GPIO_Mode_IPD 下拉輸入(4)GP

由電解電容ESR參數(shù)引發(fā)的電路故障

ESR是Equivalent Series Resistance三個(gè)單詞的縮寫(xiě)，翻譯過(guò)來(lái)就是“等效串聯(lián)電阻”。 理論上，一個(gè)完美的電容，自身不會(huì)產(chǎn)生任何能量損失，但是實(shí)際上，因?yàn)橹圃?/p>

電源降壓控制電路模塊電路圖

電子電路通常都工作在正穩(wěn)壓輸出電壓下，而這些電壓一般都是由降壓穩(wěn)壓器來(lái)提供的。如果同時(shí)還需要負(fù)輸出電壓，那么在降壓-升壓拓?fù)渲芯涂梢耘渲孟嗤慕祲嚎刂破鳌Ｘ?fù)輸出電

摩托車節(jié)電整流器電路的制作

整流器電路及工作原理 本裝置電路如圖2所示。磁電機(jī)輸出的交流電壓經(jīng)二極管D1～D6整流后變成脈動(dòng)直流電壓分兩路輸出。一路由Q1、Q2、Q3、R1、R7、DW1，以及C2組成的典型晶

關(guān)于小電流測(cè)量技巧

小電流換種說(shuō)法就是高電阻，測(cè)量小電流有兩種基本技術(shù)：分流法和反饋安培計(jì)法。在測(cè)試中，在理想情況下，電流表對(duì)電路完全沒(méi)有影響。然而，在實(shí)際測(cè)量中，可能會(huì)出現(xiàn)多種誤

電容器巧作變壓器電路

如圖是用電容器代替常用的變壓器，將市電220V降至整流器所需要的交流低電壓電路。在電路中主要由電容器C1降壓，耐壓值為400V;C1的電容量依據(jù)輸出電流確定。在220V/50Hz條件

關(guān)于開(kāi)關(guān)變壓器飽和的相關(guān)解析

開(kāi)關(guān)變壓器飽和定義：開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，不傳遞能量給次級(jí)，電壓限制電流變壓器所以出現(xiàn)上圖電流波形，可以看著開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通，電感儲(chǔ)能，電感及為負(fù)載。當(dāng)電流上升磁場(chǎng)強(qiáng)度不再隨電

電容的ESR知識(shí)匯總

理論上，一個(gè)完美的電容，自身不會(huì)產(chǎn)生任何能量損失，但是實(shí)際上，因?yàn)橹圃祀娙莸牟牧嫌须娮?，電容的絕緣介質(zhì)有損耗，各種原因?qū)е码娙葑兊貌?ldquo;完美”。這個(gè)損耗

一份電源原理圖的每個(gè)元器件的選項(xiàng)

原理圖 FS1:由變壓器計(jì)算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共享料2A/250V，設(shè)計(jì)時(shí)亦須考慮Pin(max)時(shí)的Iin是否會(huì)超過(guò)保險(xiǎn)絲的額定值。TR1(熱敏電阻):電源啟動(dòng)的瞬間

功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)駕馭高難度的負(fù)載并助力電源單元的特性測(cè)試

高速驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載比較困難，根本原因在于電壓變化產(chǎn)生的電流充電速度僅受等效串聯(lián)電阻(ESR)的限制，而對(duì)于現(xiàn)代多層電容器，等效串聯(lián)電阻往往非常小。另一個(gè)原因在于，如果將

用電阻進(jìn)行D／A轉(zhuǎn)換的原理