
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為
摘要:提出一種在單片機(jī)系統(tǒng)中比較簡(jiǎn)單地使用大容量NAND Flash存儲(chǔ)器的方法。與一般方法相比,編寫(xiě)應(yīng)用程序的程序員不需要掌握計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)的規(guī)范,只要按照NAND Flash的讀、寫(xiě)、擦除等時(shí)序?qū)ζ溥M(jìn)行操作,把NANDFl
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英國(guó)柴郡克魯城鎮(zhèn)的歐斯米泰克公司成功地開(kāi)發(fā)出了電子鼻,試驗(yàn)表明,它能“嗅”出侵蝕病人皮膚傷口的細(xì)菌,提醒醫(yī)生及時(shí)采取相應(yīng)措施。 他研究的電子鼻是由32個(gè)不同的有機(jī)高分子感應(yīng)器組成的矩陣,對(duì)各
系列振蕩器電路圖,供學(xué)習(xí)參考!
基礎(chǔ)的放大電路。
第一課:做一個(gè)SCH里面常要用到的電阻零件1.先來(lái)打開(kāi)SCH文件,選中教學(xué)提供的那個(gè)SCH零件庫(kù),然后選編輯,進(jìn)入SCH零件編輯器 2.在這個(gè)現(xiàn)有的庫(kù)中新建一個(gè)SCH零件 3.先以做一個(gè)SCH電阻零件為例子說(shuō)明一
圖6.16中,相鄰的端接電路會(huì)在電路走線之間交叉耦合信號(hào)能量。這種交叉耦合比通常發(fā)生在相鄰傳輸線之間的串?dāng)_更嚴(yán)重。本文將提供接交叉耦合的實(shí)際測(cè)量結(jié)果,同時(shí)給出了一些預(yù)測(cè)端接電路串?dāng)_的提示。端接中的串?dāng)_同時(shí)
鄰近效應(yīng)是一種物理現(xiàn)象,會(huì)使相鄰導(dǎo)線中的反方向電流產(chǎn)生相互吸引(見(jiàn)圖4.16)。鄰近效應(yīng)是由磁場(chǎng)的變化引起的,因此它僅干擾高頻電流的流動(dòng)。靜態(tài)磁場(chǎng)的恒定電流不會(huì)對(duì)鄰近效應(yīng)做出響應(yīng)。鄰近效應(yīng)明顯不同于安培發(fā)
單金屬片觸摸開(kāi)關(guān)原理及電路圖集 工作原理:圖1所示的電路只使用了一片觸摸金屬片,電路中采用了2只四二輸入端(內(nèi)部有四個(gè)完全相同的,具有兩個(gè)輸入端)施密特觸發(fā)器4093(如CD4093、 TC4093等等)。通常IC2-a的輸
可拆卸的示波器探頭在測(cè)試時(shí)會(huì)對(duì)被測(cè)電路產(chǎn)生擾動(dòng),當(dāng)探頭移走后,電路的工作條件會(huì)發(fā)生改變。試想一下一個(gè)來(lái)自于探頭的10PF負(fù)載會(huì)對(duì)高速線路產(chǎn)生怎樣的影響。嵌入式的探測(cè)裝置可以使用電路在任何時(shí)候處于同樣的工作
我們可以預(yù)測(cè),如果用有接地引線的探頭去測(cè)量非常愉的來(lái)自低源端電阻信號(hào)源的信號(hào),會(huì)觀察到人為的振鈴和過(guò)沖現(xiàn)象。通過(guò)圖3.6和圖3.7,可以比較我們的判斷和實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。這些實(shí)驗(yàn)采用電容極低的FET型探頭,額定為
可拆卸的示波器探頭在測(cè)試時(shí)會(huì)對(duì)被測(cè)電路產(chǎn)生擾動(dòng),當(dāng)探頭移走后,電路的工作條件會(huì)發(fā)生改變。試想一下一個(gè)來(lái)自于探頭的10PF負(fù)載會(huì)對(duì)高速線路產(chǎn)生怎樣的影響。嵌入式的探測(cè)裝置可以使用電路在任何時(shí)候處于同樣的工作
圖3.4中有一個(gè)與信號(hào)源相串聯(lián)的電阻,這個(gè)電阻可以作為任何門(mén)電路驅(qū)動(dòng)被測(cè)信號(hào)時(shí)的輸出阻抗的模型。對(duì)于TTL或高性能的CMOS驅(qū)動(dòng)器,這個(gè)源端阻抗大允為30歐。對(duì)于ECL系統(tǒng),輸出阻抗大約為10歐。LC電路的Q值,或者說(shuō)諧
邏輯電路每一次跳變,都要消耗超過(guò)它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當(dāng)以一個(gè)恒定速率循環(huán)時(shí),動(dòng)態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個(gè)周期額外的功率動(dòng)態(tài)功耗最常見(jiàn)的兩個(gè)起因是負(fù)載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說(shuō)明了驅(qū)
如果將“互容的測(cè)量”例中的電阻接地,將會(huì)發(fā)生什么呢?如果把“互容的測(cè)量”例中的每個(gè)電阻的一端接地,容性耦合噪聲電壓值大約除以6。直觀地來(lái)分析,如果用連接在兩個(gè)電阻正中間的寄生電容來(lái)表示這個(gè)互容,電阻RA的
假設(shè)已知一個(gè)互容的值為CM,電路的上升時(shí)間為T(mén),接收電路的阻抗為RB,我們可以按驅(qū)動(dòng)波形VA的相對(duì)值來(lái)估算串?dāng)_。首先求出波形VA的單位時(shí)間電壓變化的最大值,其中△V為驅(qū)動(dòng)波形的階躍幅度,TR是驅(qū)動(dòng)波形的上升時(shí)間:
采用PM4040F制作的千瓦級(jí)開(kāi)關(guān)電源由主電路圖一份,輸出部分有兩個(gè)不同的電路圖,你可以根據(jù)你的需要采用單電壓部分也可以采用雙電壓部分的電路圖與主電路圖構(gòu)成一個(gè)完整的開(kāi)關(guān)電源電路圖。 除已經(jīng)標(biāo)注了功率的電阻
采用PM4040F制作的千瓦級(jí)開(kāi)關(guān)電源由主電路圖一份,輸出部分有兩個(gè)不同的電路圖,你可以根據(jù)你的需要采用單電壓部分也可以采用雙電壓部分的電路圖與主電路圖構(gòu)成一個(gè)完整的開(kāi)關(guān)電源電路圖。 除已經(jīng)標(biāo)注了功率的電阻