
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為
摘要:提出一種在單片機系統(tǒng)中比較簡單地使用大容量NAND Flash存儲器的方法。與一般方法相比,編寫應用程序的程序員不需要掌握計算機文件系統(tǒng)的規(guī)范,只要按照NAND Flash的讀、寫、擦除等時序對其進行操作,把NANDFl
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英國柴郡克魯城鎮(zhèn)的歐斯米泰克公司成功地開發(fā)出了電子鼻,試驗表明,它能“嗅”出侵蝕病人皮膚傷口的細菌,提醒醫(yī)生及時采取相應措施。 他研究的電子鼻是由32個不同的有機高分子感應器組成的矩陣,對各
系列振蕩器電路圖,供學習參考!
基礎的放大電路。
第一課:做一個SCH里面常要用到的電阻零件1.先來打開SCH文件,選中教學提供的那個SCH零件庫,然后選編輯,進入SCH零件編輯器 2.在這個現(xiàn)有的庫中新建一個SCH零件 3.先以做一個SCH電阻零件為例子說明一
圖6.16中,相鄰的端接電路會在電路走線之間交叉耦合信號能量。這種交叉耦合比通常發(fā)生在相鄰傳輸線之間的串擾更嚴重。本文將提供接交叉耦合的實際測量結果,同時給出了一些預測端接電路串擾的提示。端接中的串擾同時
鄰近效應是一種物理現(xiàn)象,會使相鄰導線中的反方向電流產(chǎn)生相互吸引(見圖4.16)。鄰近效應是由磁場的變化引起的,因此它僅干擾高頻電流的流動。靜態(tài)磁場的恒定電流不會對鄰近效應做出響應。鄰近效應明顯不同于安培發(fā)
單金屬片觸摸開關原理及電路圖集 工作原理:圖1所示的電路只使用了一片觸摸金屬片,電路中采用了2只四二輸入端(內部有四個完全相同的,具有兩個輸入端)施密特觸發(fā)器4093(如CD4093、 TC4093等等)。通常IC2-a的輸
可拆卸的示波器探頭在測試時會對被測電路產(chǎn)生擾動,當探頭移走后,電路的工作條件會發(fā)生改變。試想一下一個來自于探頭的10PF負載會對高速線路產(chǎn)生怎樣的影響。嵌入式的探測裝置可以使用電路在任何時候處于同樣的工作
我們可以預測,如果用有接地引線的探頭去測量非常愉的來自低源端電阻信號源的信號,會觀察到人為的振鈴和過沖現(xiàn)象。通過圖3.6和圖3.7,可以比較我們的判斷和實際的測量結果。這些實驗采用電容極低的FET型探頭,額定為
可拆卸的示波器探頭在測試時會對被測電路產(chǎn)生擾動,當探頭移走后,電路的工作條件會發(fā)生改變。試想一下一個來自于探頭的10PF負載會對高速線路產(chǎn)生怎樣的影響。嵌入式的探測裝置可以使用電路在任何時候處于同樣的工作
圖3.4中有一個與信號源相串聯(lián)的電阻,這個電阻可以作為任何門電路驅動被測信號時的輸出阻抗的模型。對于TTL或高性能的CMOS驅動器,這個源端阻抗大允為30歐。對于ECL系統(tǒng),輸出阻抗大約為10歐。LC電路的Q值,或者說諧
邏輯電路每一次跳變,都要消耗超過它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當以一個恒定速率循環(huán)時,動態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個周期額外的功率動態(tài)功耗最常見的兩個起因是負載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說明了驅
如果將“互容的測量”例中的電阻接地,將會發(fā)生什么呢?如果把“互容的測量”例中的每個電阻的一端接地,容性耦合噪聲電壓值大約除以6。直觀地來分析,如果用連接在兩個電阻正中間的寄生電容來表示這個互容,電阻RA的
假設已知一個互容的值為CM,電路的上升時間為T,接收電路的阻抗為RB,我們可以按驅動波形VA的相對值來估算串擾。首先求出波形VA的單位時間電壓變化的最大值,其中△V為驅動波形的階躍幅度,TR是驅動波形的上升時間:
采用PM4040F制作的千瓦級開關電源由主電路圖一份,輸出部分有兩個不同的電路圖,你可以根據(jù)你的需要采用單電壓部分也可以采用雙電壓部分的電路圖與主電路圖構成一個完整的開關電源電路圖。 除已經(jīng)標注了功率的電阻
采用PM4040F制作的千瓦級開關電源由主電路圖一份,輸出部分有兩個不同的電路圖,你可以根據(jù)你的需要采用單電壓部分也可以采用雙電壓部分的電路圖與主電路圖構成一個完整的開關電源電路圖。 除已經(jīng)標注了功率的電阻