本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明,新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿,讓系統(tǒng)具更高的能效,對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。
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