碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，體二極管反向恢復(fù)與開(kāi)關(guān)振鈴的協(xié)同抑制

在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進(jìn)的進(jìn)程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、高頻開(kāi)關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復(fù)電流及開(kāi)關(guān)振鈴現(xiàn)象，正成為制約系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵瓶頸。本文從器件物理機(jī)制出發(fā)，結(jié)合工程實(shí)踐，系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出體二極管反向恢復(fù)與開(kāi)關(guān)振鈴的協(xié)同抑制策略。