硅基光電探測(cè)器的暗電流抑制技術(shù)：工藝改進(jìn)與測(cè)試驗(yàn)證

在光通信、量子計(jì)算及高精度光譜分析領(lǐng)域，硅基光電探測(cè)器憑借其與CMOS工藝兼容、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)成為核心器件。然而，暗電流（無(wú)光照時(shí)的漏電流）作為制約探測(cè)器靈敏度的關(guān)鍵因素，其抑制技術(shù)直接決定器件性能上限。本文從工藝創(chuàng)新與測(cè)試驗(yàn)證雙維度，系統(tǒng)闡述硅基光電探測(cè)器暗電流抑制的前沿進(jìn)展。