近日,基本半導(dǎo)體正式發(fā)布國內(nèi)首款擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的工業(yè)級碳化硅MOSFET,該產(chǎn)品各項性能達到國際領(lǐng)先水平,其中短路耐受時間更是長達6μs。碳化硅MOSFET的發(fā)布,標(biāo)志著基本半導(dǎo)體在第三代半導(dǎo)體研發(fā)領(lǐng)域取得重大進展,自主研發(fā)的碳化硅功率器件繼續(xù)領(lǐng)跑全國。
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