磷化銦(InP)的高電場電子漂移速度比砷化鎵(GaAs)高,適合制造高速高頻器件。此外,InP的熱導(dǎo)率、太陽能轉(zhuǎn)換效率、抗輻射特性等均優(yōu)于GaAs,適合制造集成電路、太陽能電池等,目前主要被用于光纖、毫米波和無線領(lǐng)域。是
《21ic技術(shù)洞察》系列欄目第二期:工業(yè)自動化中的AI視覺系統(tǒng)
朱老師教學(xué)之嵌入式linux C編程基礎(chǔ)
開拓者FPGA開發(fā)板教程100講(中)
野火F407開發(fā)板-霸天虎視頻-【入門篇】
QT視頻教程
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21ic電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報(bào)窗口( 郵箱:macysun@21ic.com )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號