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第3代半導(dǎo)體

關(guān)注人關(guān)注

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我國第3代半導(dǎo)體被壟斷國防所需受限

由于我國在第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)研究領(lǐng)域起步較晚，目前在材料的自主制備上仍面臨難關(guān)。同時，我國對基礎(chǔ)的材料問題關(guān)注度不夠;一旦投入與支持的力度不夠，相關(guān)人才便很難被吸引，人才隊伍建設(shè)的問題也將逐漸成為發(fā)

顯示光電
2015-03-07

led照明碳化硅第3代半導(dǎo)體 mocvd設(shè)備

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