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米勒效應(yīng)

我要報(bào)錯(cuò)

  • 為什么碳化硅 MOSFET 特別需要米勒鉗位?

    在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能，如高開關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高耐壓能力等，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。然而，正是由于這些獨(dú)特的性能特點(diǎn)，使得碳化硅 MOSFET 在實(shí)際應(yīng)用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn)，其中米勒效應(yīng)帶來(lái)的影響尤為突出，這也使得米勒鉗位對(duì)于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。

  • MOS管的米勒效應(yīng)：深入解析與影響

    在半導(dǎo)體技術(shù)的廣闊領(lǐng)域中，MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）管作為集成電路中的核心元件，其性能的穩(wěn)定性和效率直接關(guān)系到整個(gè)電路系統(tǒng)的表現(xiàn)。而MOS管的一個(gè)獨(dú)特現(xiàn)象——米勒效應(yīng)（Miller Effect），更是引起了工程師們的廣泛關(guān)注和研究。本文將深入探討MOS管的米勒效應(yīng)，解析其產(chǎn)生機(jī)制、影響以及在實(shí)際應(yīng)用中的應(yīng)對(duì)策略。

  • MOS管開關(guān)時(shí)的米勒效應(yīng)的影響與解決方法

    由于米勒電容阻止了Vgs的上升，從而也就阻止了Vds的下降，這樣就會(huì)使損耗的時(shí)間加長(zhǎng)。(Vgs上升，則導(dǎo)通電阻下降，從而Vds下降)。