本文研究主要考慮基于CuSn金屬互化物的微凸點(diǎn)(μbump)作為芯片堆疊的手段。系統(tǒng)研究了形成金屬互化物凸點(diǎn)連接的兩種方法。一:瞬時(shí)液相(TLP)鍵合,在此過(guò)程中,全部Sn焊料熔化,隨后通過(guò)與焊料盤的作用及凸點(diǎn)下金屬化層(UMB)轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘匍g化合物。這些金屬間化合物的特點(diǎn)是比焊料本身有更高的熔點(diǎn)。
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