SiC 具有寬的禁帶寬度、高擊穿電場、高熱傳導率和高電子飽和速率的物理性能,使其有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等優(yōu)點,可降低下游產(chǎn)品能耗、減少終端體積
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