耗盡型模擬開關(guān)：無(wú)電源也能高性能連接

增強(qiáng)型FET用于當(dāng)今絕大多數(shù)電子產(chǎn)品中，工作模式基于簡(jiǎn)單的概念?？紤]到增強(qiáng)型NFET采用共源極結(jié)構(gòu)(圖1，左)-當(dāng)門極與源在相同的電勢(shì)，漏源極之間的溝道電阻很高，我們認(rèn)為晶體管是‘關(guān)斷’的。這些FET需要一個(gè)正的門極到源電壓，以導(dǎo)通溝道，并在漏源極之間傳導(dǎo)。當(dāng)沒(méi)有完全飽和時(shí)，這些FET的溝道電阻會(huì)有很大的變化。這可能導(dǎo)致模擬信號(hào)的問(wèn)題，需要在整個(gè)信號(hào)幅度范圍的低失真。此外，當(dāng)采用增強(qiáng)型FET的模擬開關(guān)失去電源時(shí)，其狀態(tài)是不確定的;它不會(huì)很好地傳導(dǎo)，很可能也不會(huì)很好地隔離信號(hào)。