全耗盡型絕緣體上硅(FD-SOI)是一種平面工藝技術(shù),依賴于兩項(xiàng)主要技術(shù)創(chuàng)新。首先,在襯底上面制作一個(gè)超薄的絕緣層,又稱埋氧層。
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